用于測量細胞行為的形態學生物傳感器，采用無標記，非侵入性 方法 電子監測組織培養中生長的細胞

• 培養基中的非侵入性細胞分析
• 測量細胞形態的變化
• 多個實時測量
• 系統包括：ECIS Model Z Theta臺控制器，高架場模塊（即用于自動傷口愈合或電穿孔研究的脈沖系統），用于數據收集和分析的軟件，包括模型計算，筆記本電腦

• ●	基于連續測量數據的新測定法，其不能通過終點法獲得
  ●	可以在不使用標簽的情況下進行測量，從而減少細胞損傷
  ●	卓越的可擴展性，允許實驗，如灌注培養，低氧培養和成像

  應用

  ●細胞生長●粘附和鋪展●細胞運動●細胞屏障功能的細胞
  ●細胞外底物的親和力的細胞毒性●病毒毒性●癌癥●信令的浸潤
  ●●電穿孔傷口恢復和細胞遷移灌注培養

  特點

  ●ECIS-Z實時細胞分析儀
  ECIS-Z是，在不使用標記，如熒光標記的，是一個實時細胞分析系統來監測“動態”，在實時的小區的“形式”。
  操作非常簡單，在進入培養箱中的孔并按下開始按鈕后，數據會自動獲取，直到實驗結束。 使用帶電極的專用孔，測量電池的阻抗值（電阻值）的變化。 可以在短時間內無創地監測細胞事件超過100小時。
  有3種類型的站用于設置井電極，8,16和96井站。 如果您想提高篩選研究的吞吐量，或者想要用更少的井進行研究，可以通過選擇相應的井站來最小化價格。

  ●ECIS-Z.theta實時細胞分析儀
  ECIS-Z.theta，除了阻抗測量ECIS-Z，電阻和電容，其是阻抗的組成部分可以被測量，從而捕獲細胞的更深的生物學性質事情是可能的。
  　還可以使用獨特的數學模型來測量精確屏障函數（透明度）隨時間的變化。 它比通常用于上皮屏障測量的TER測量方法更準確和連續的數據測量，它不僅可以測量上皮細胞，還可以測量內皮細胞的屏障功能。

  實時細胞分析儀選項

  ●高電場模塊，用于傷口·電穿孔
  使用自動傷口功能和電穿孔實驗的傷口愈合實驗成為可能。 您可以設置傷口的時間，強度和頻率。 有關詳細信息，請單擊此處。 （*我們將轉到Applied BioPhysics的頁面。）

  ●顯微鏡培養裝置
  結合ECIS測量，除細胞動力學的數值分析外，還可以進行生命細胞成像。 有關詳細信息，請單擊此處。 （*我們將轉到Applied BioPhysics的頁面。）

  灌注培養系統
  ECIS軟件可以控制泵的流量。 最多可同時使用8個泵。 您可以設置脈動流量，也可以控制剪切應力。 欲了解更多信息（*我將轉到Applied BioPhysics Inc.的頁面）

  實時細胞分析設備數據示例

  細胞粘附和延伸 ● 準確定量細胞粘附速度和運動性 ● 還可以預涂不同的細胞外基質并比較與細胞的親和力	細胞遷移，傷口愈合（傷口愈合） ● 與傳統的劃痕/分析不同，它可以通過電力自動控制細胞損傷 ● 評估傷口愈合并測量細胞遷移的變化
  癌細胞的侵襲/轉移潛能 ● 通過腫瘤細胞的浸潤反映血管內皮細胞的凋亡 ● 它通過暴露于轉移細胞反映內皮細胞的外滲	細胞屏障功能 ● 使用特殊算法，計算細胞間隙和支架值，監測準確的屏障功能·細胞粘附強度 ● 該圖顯示了VEGF向內皮細胞的添加

  
  

  實際電極的顯微照片
  通過細胞粘附后的阻抗變化可以理解細胞 的 微觀運動。

  實時細胞分析儀原理

  

  可以通過將用于測量1μA或更小的交流電流傳遞到金膜電極來測量阻抗。 它還可以實時分解并測量電阻和電容。 當在電極上粘附和延伸時，電池不響應1μA或更小的AC電流。 然而，由于處于絕緣狀態的細胞膜阻止或抑制電流流動，因此可以在數值上測量阻抗變化。 因此，從阻抗的變化，細胞膜的各種特性 - 例如形態變化，屏障功能，細胞運動性，細胞分布，細胞膜的電容，能夠以平均尺寸或類似的電池的正下方識別這將是。

  ECIS與其他技術的比較

  ECIS的能力	老方法
  實時測量細胞增殖	使用顯微鏡用熒光或放射性標記測量細胞數
  以高重復性測量細胞粘附和延伸	用顯微鏡處理圖像。 用熒光或放射性標記機械去除未附著的細胞
  從單細胞到融合細胞的細胞運動的定量測量	用具有圖像分析功能的顯微鏡連續觀察
  定量測量傷口愈合/細胞遷移	使用許多顯微圖像機械去除細胞和測量傷口愈合
  實時測量內皮和血管內皮細胞層屏障功能的變化	TER測量非常緊密的層或Boyden室技術使用熒光或放射性標簽

  ※請注意所發布產品的規格和外觀如有變更，恕不另行通知。

應用：

• 細胞附著
• 傷口愈合和細胞遷移
• 信號轉導
• 流動下的細胞行為
• 測量 轉移潛力
• 內皮細胞屏障功能的 測量和建模
• 毒理學篩查

ECIS  方法 代表了一種 在體外 監測活細胞的非侵入性方法 。 它測量小電極的阻抗隨時間的變化。

在該系統中，細胞生長在攜帶非常弱的AC信號的小金膜電極上。 當細胞附著并散布在這些電極上時，它們的絕緣膜阻擋并約束電流，導致測量的電極阻抗變化。 環境的任何變化，導致細胞的形態變化，改變當前路徑并且可以通過儀器容易地檢測到。 這些變化可能是由于化合物的添加，物理環境的變化（例如 灌注 ， 轉染 事件，病毒感染和其他細胞的添加）。

ECIS系統無需任何標簽即可收集連續的實時測量結果。 此外，由于在測量期間使用的弱AC電流對細胞沒有影響，因此該方法是完全非侵入性的。

細胞在ECIS電極上生長

有兩個主要系統：ECIS模型Z和ECIS模型Zθ（theta）。 ECIS Model Z系統監測用作細胞生長基質的小直徑250微米電極的阻抗。 ECIS ModelZθ系統將復阻抗解釋為電阻和電容，并且可以報告這些值以及簡單的阻抗。 然后可以使用提供關于細胞層的屏障功能（R  b ），細胞下方的間隔（α）和細胞膜的電容（C  m ）的 信息的模型進一步細化該數據 。

兩種系統均可提供2 x 8孔或96孔陣列站，是高通量應用的理想選擇。 陣列站位于培養箱中，   以便細胞始終保持在理想的培養條件下。

ECIS測量的基本原理

流動條件下的阻抗測量

對于流動條件下的阻抗測量，將ECIS系統與泵系統結合使用，可以更加精確地模擬 體內 環境。